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薄膜半導體材料制備系統

  • 磁控濺射儀
磁控濺射儀

磁控濺射儀


磁控濺射儀

襯底尺寸:4'爲主,6'兼容。

濺射金屬膜厚均勻性要求:≤±5%

靶位:4個。

極限壓力:<6.6×10-6e Pa

靶材尺寸:3英寸。

可濺射磁性材料。

靶與樣品距離可調,且可以在30度角度內擺頭。

配置load-lock,可放置56英寸樣品,在高真空狀態下,由電動馬達分別傳送每片樣品,順序濺射每片樣品,逐一完成5片濺射鍍膜。

樣品台可加熱至750度,可旋轉。

全自動真空度控制模塊。

氣路:ArO2N2

射頻電源:2個,每個600W

直流電源:2個,每個1000W


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